Kioxia está probando memoria de tipo UFS 3.1 con tecnología QLC de 4 bits por celda

Kioxia está trabajando en mejorar la memoria flash UFS versión 3.1 para dispositivos con almacenamiento integrado, por esto ha presentado hoy su nueva memoria de tipo UFS (Universal Flash Storage) compatible con la versión 3.1 pero construida con la tecnología QLC (Quad Level Cell) que ofrece 4 bits por cada celda. Esta nueva memoria satisface la necesidad de grandes cantidades de almacenamiento en dispositivos con memoria integrada al ofrecer una densidad mayor en un solo paquete de chips.

El fabricante ha realizado pruebas utilizando dispositivos PoC (Proof of Concept) con memoria de 512 GB QLC utilizando la memoria de la compañía BiCS Flash 3D de 1 Terabit con tecnología QLC. Los dispositivos móviles, que son los principales usuarios de este tipo de memoria, cada vez demandan mayor cantidad de almacenamiento para guardar fotos, vídeos y aprovechar la velocidad de las redes 5G al descargar o almacenar datos con mayor velocidad. También se deja una puerta abierta para utilizar mayores capacidades en el futuro, según demande el mercado.

Además, Kioxia ya está colaborando para probar estas unidades junto con clientes OEM. Aunque estas unidades iniciales aún disponen de ciertas limitaciones que pueden no ofrecer todo el rendimiento que se espera, es por esto por lo que pueden producirse cambios en las especificaciones como la velocidad de lectura/escritura.

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