Un 33% de mejora de velocidad en las nuevas HBM2E Flashbolt de Samsung

Samsung acaba de anunciar en el GTC 2019 la producción de la nueva generación de High Bandwith Memory, que vendrá con la nomenclatura HBM2E con el nombre en clave Flashbolt.

Las nuevas capacidades en tarjetas gráficas, aparte de obviamente los juegos, traen muchas posibilidades, como es la IA (inteligencia artificial) o el deep learning, las nuevas aplicaciones requerirán de un vasto ancho de banda disponible, y es que los fabricantes empiezan a ver dónde se produce el cuello de botella, y no es otro que el ancho de banda en la memoria del sistema.

Con esto en mente, Samsung ha anunciado la nueva generación HBM2E, y es que la nueva solución será capaz de alcanzar 3.2 Gbps (Gigabits por segundo), o lo que es lo mismo, un 33% más rápidas que la actual HBM2 que es capaz de dar 2 Gbps por cada pin de DRAM, alcanzando un ancho de banda final de 410 GB/s (frente a los 256 GB/s actuales), además HBM2E tendrá 16 GB de RAM en cada capa, doblando en densidad al actual HBM2.

El concepto HBM nació como una alternativa al popular GDDR, HBM tiene en teoría más potencial que GDDR, y es que mientras con GDDR se necesitan varios stacks de DRAM a una velocidad muy alta, la clave de HBM2, por ejemplo, es que no es necesario que el stack de DRAM funcione a alta tasa de datos por el enorme ancho de bus de 1024 bits, lo que se traduce en menor consumo, mientras se ofrece un ancho de banda mayor.

El problema de la producción y su posterior implementación de la memoria HBM es su precio, y es que para conectar el SoC con cada pin de stacks de DRAM es necesario un intermediador (interposer en inglés), el cual es el principal causante del sobrecoste de este tipo de memoria por su elevado precio para fabricar.

Con HBM2E no solo se aumentará el ancho de banda, sino que también mejorará la eficiencia, con señales eléctricas más bajas y menor voltaje, disminuyendo el consumo final.

 

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