Los nuevos chips de memoria HMB3E de 12 capas de Micron alcanzan 1,2 TB/s con 36 GB de capacidad

Con el auge de la Inteligencia Artificial se ha multiplicado la demanda de chips aceleradores para servidores destinados a procesar los distintos modelos y tecnologías, y eso ha hecho que las memorias HBM cobren mucho más protagonismo y su desarrollo crezca a pasos agigantados.

Micron, uno de los principales fabricantes de estas memorias, ha anunciado su nueva generación de chips HBM3E de 12 capas o "alturas"con una capacidad de 36 GB cada uno. Alcanzan anchos de banda de 1,2 TB/s gracias a una velocidad de transmisión por cada uno de sus pines de conexión de 9,2 GB/s.

Todo ello supone una mejora del 50% en capacidad respecto de otros chips de 8 capas de HBM3E. Ampliar la capcidad permite la carga en memoria de modelos más grandes como LLaMa 2 y sus 70.000 millones de parámetros.

Los chips de memoria HBM3E de 12 capas de Micron se fabrican en TSMC tras incluirse en la alianza "3DFabric Alliance" del fabricante taiwanés. Se integrarán en GPUs y aceleradoras específicas para inteligencia artificial y otros usos. Este tipo de memorias se pueden integrar en SoCs directamente al utilizar la tecnología 3D de apilamiento vertical (de ahí que hablemos de "capas" o "alturas") y conseguir una alta densidad en poco espacio.

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