SK Hynix comienza la producción en masa de chips LPDDR4 de 8 Gb con tecnología EUV y proceso de 10 nm de cuarta generación

El fabricante de memorias SK Hynix, que tuvo un pequeño problema con algunas obleas defectuosas a principios del mes de junio, ha comenzado la fabricación en masa de chips LPDDR4 de 8 Gb para dispositivos móviles con tecnología EUV. La memoria será la más rápida del estándar con una velocidad de 4266 Mbps y estará disponible para los fabricantes de teléfonos móviles para la segunda mitad de este mismo 2021.

SK Hynix ha comenzado esta fabricación en masa con tecnología EUV y usando un nodo a 10 nanómetros de cuarta generación, llamada 1anm (después de 1xam, 1yam y 1zam), después de demostrar la fiabilidad y estabilidad con el proceso 1yam usando la tecnología EUV para el proceso fotográfico en el dibujo de patrones en la superficie de las obleas.

Con este proceso EUV y gracias a la cuarta generación de 10 nanómetros se ha conseguido un aumento del 25% en el número de chips DRAM producidos en el mismo tamaño de oblea en comparación con la tercera generación. Además, se ha conseguido reducir el consumo de energía en un 20% para cumplir el acuerdo de SK Hynix de reducir las emisiones de dióxido de carbono entre otros.

Usando la misma tecnología EUV y el mismo proceso 1anm SK Hynix comenzará a producir la próxima generación de memoria RAM DDR5, que se lanzará en octubre y estará disponible a primeros del 2022. Lista para el lanzamiento de los próximos procesadores de Intel Alder Lake que también se lanzarán en octubre y que serán compatibles con esta nueva generación de memoria RAM.

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