Samsung está trabajando en la nueva memoria DDR6 que podrá alcanzar hasta los 18.000 MHz

Cuando acaba de lanzarse, aunque con ciertas dificultades, la memoria DDR5, Samsung ya nos habla de la próxima generación de memorias DDR6. El estándar de la JEDEC para la próxima memoria DDR6 aún no ha sido definido, pero Samsung está realizando pruebas con módulos que alcanzan los 12800 MHz de frecuencia base. Aún está en una fase temprana de desarrollo, pero se espera que se pueda overclockear hasta los 17.000 MHz.

Como novedad, se espera que la memoria DDR6 cuente con el doble canales por módulo que la actual DDR5, con un total de 4 frente a los 2 que tiene DDR5. Samsung también ha hablado de la memoria GDDR6 Y GDDR7. Nos cuenta que está desarrollando una versión de GDDR6 con hasta 24 Gbps. También tiene previsto un nuevo estándar GDDR7 que podrá aumentar el ancho de banda hasta los 32 Gbps junto con una protección de errores en tiempo real.

Respecto a la nueva memoria con un gran ancho de banda HBM3 con hasta 800 GB/s, Samsung planea que pueda empezar su producción en masa para el segundo trimestre del próximo año. Una memoria que será ideal para aplicaciones de Inteligencia Artificial.

Desafortunadamente, Samsung no permite tomar fotografías de sus eventos y no podremos enseñar alguna muestra de lo anunciado por el fabricante.

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