Aunque generalmente se suele hablar de números enteros cuando nos referimos a los nanómetros en los procesos de fabricación, hay que tener en cuenta que estas cifras no suelen seguir una medición estándar y hay bastante variaciones entre procesos que tienen, supuestamente, el mismo tamaño de transistor en "nanómetros" como explicamos en este artículo.
Aun así, resulta llamativo que Samsung haya desvelado sus planes para dar el salto a un proceso de fabricación de 1,4 nanómetros. Lo hará, si todo va según lo previsto, en el año 2027, momento en el que esperan poder fabricar ya en grandes cantidades (producción en masa) chips de distintos tipos a 1,4 nanómetros.
Actualmente la compañía ya ha conseguido comenzar la producción a gran escala de su proceso de 3 nanóemtros. En 2025 darán el salto a los 2 nanómetros utilizando su tecnología Gate-All Around o GAA (MBCFET es el nombre concreto que utilizan en Samsung en su proceso), para luego, dos años después, pasar a 1,4 nanómetros.
Inicialmente, este proceso parece que estará destinado sobre todo a sistemas de computación de alto rendimiento, 5G y 6G sistemas para automoción, además de para el famoso "IoT" o Internet of Things con dispositivos de todo tipo dotados de chip y conectividad inalámbrica para su conexión a la red.
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