Las nuevas memorias Micron UFS 4.0 con celdas 3D NAND de 232 capas para smartphones superan los 4 GB/s

El fabricante de memorias Micron ha anunciado sus nuevos chips de memoria UFS 4.0 de alto rendimiento para smartphones de gama alta. Estos nuevos chips están formados por celdas de memoria NAND Flash apiladas en 3D con 232 capas, junto a sus propias controladoras de bajo consumo y firmwares desarrollados por la compañía.

Se trata de los primeros chips para smartphones que utilizan esta tecnología de 232 capas de Micron con las que se consigue duplicar el ancho de banda de escritura y aumentar en un 75% la velocidad de lectura. Concretamente, se trata de memorias NAND Flash 3D de tipo TLC (celdas de triple nivel).

Con el conjunto de todos estos elementos, las memorias UFS 4.0 de Micron prometen velocidades de más de 4 GB/s de velocidad de acceso. En concreto, tenemos hasta 4,3 GB/s de velocidad de lectura secuencial y de 4 GB/s de escritura del mismo tipo, llevando a los smartphones unas velocidades propias de SSD NVMe 1.4 como los que existen para PC.

Adicionalmente, estos chips son un 25% más eficientes energéticamente que la generación anterior de memorias de la compañía, junto a una latencia de escritura un 10% más rápida que la competencia, según los datos de la propia Micron.

Por el momento, Micron está enviando ya los primeros chips UFS 4.0 de 232 capas a los fabricantes para que puedan probarlos en sus dispositivos, con chips de 256 GB, 512 Gb y hasta 1 TB de capacidad. Durantre esta segunda mitad del año 2023, Micron comenzará la fabricación a gran escala de estos chips, por lo que posiblemente no las veremos en smartphones hasta finales de año o principios del año que viene.

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