Samsung está trabajando en su nodo de 2 nanómetros con tecnología de entrega de suministro de energía trasera

Samsung está compitiendo por ofrecer un nodo más avanzado que su principal competidor, TSMC, pero parece que no ha tenido buena experiencia con su proceso de 3 nanómetros, quedándose sin clientes más allá de la producción propia para sus productos. Pero también está compitiendo con un nodo más avanzado de 2 nanómetros, un nodo en el que la propia Samsung dice que superará a TSMC. Y es que según leemos en un periódico coreano Biz.Chosum, Samsung está trabajando en tecnología BSPDN con un proceso de 2 nanómetros.

Parece que Samsung está lista para la producción en masa con un proceso de 2 nanómetros y esta tecnología BSPDN (Backside Power Supply), también conocída en español como Red de Entrega de Suministro de Energía Trasera. Además, Samsung utilizará esta tecnología junto con SF2 GAAFET ofreciendo unos resultados por encima de los esperados con dos núcleos ARM aún no conocidos y que podrían ser los Blackhawk de los que se ha hablado. Con esta tecnología se ha conseguido reducir el área del chip entre un 10 y un 19% y lograron mejorar el rendimiento de este chip y la eficiencia a un nivel de un solo dígito.

Samsung parece que está ajustando los calendarios para la producción en masa con esta tecnología, que inicialmente estaba prevista para 2027 junto con un nodo de 1,7 nanómetros, y que finalmente puede llegar antes de lo esperado con este próximo nodo de 2 nanómetros.

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