Samsung espera fabricar a 4 nanómetros dentro de tres años

Según los planes de la compañía para su futuro a corto y medio plazo, Samsung espera conseguir comenzar a fabricar sus primeros chips a 4 nanómetros durante el año 2020, esto es, dentro de tan solo tres años.

La compañía planea pasar de los actuales 10 nm a los 4 nm siguiendo una estrategia por la cual irán reduciendo el proceso de fabricación paulatinamente, primero bajando de  los 10 nm actuales a los 8 nm para después pasar a los 7 nm utilizando litografía de tipo EUV (Ultra Violeta Extrema) de 250W, un sistema de fabricación que todavía no resulta rentable pero que la compañía espera mejorar durante los próximos años.

Posteriormente, utilizando el mismo método, llegará la bajada a los 6 nm y hasta los 5nm. Los 5 nm serán el límite para la actual arquitectura FinFET, de hecho, para dar el paso a los 4 nanómetros Samsung tendrá que aplicar la tecnología MBCFETMT (Multi Bridge Channel FET) de tipo GAAGET (Gate All Around FET).

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