Samsung lanza la primera memoria DRAM CXL 2.0 con un ancho de banda de hasta 35 GB/s

Samsung sigue trabajando en la memoria DRAM CXL y acaba de anunciar su nuevo modelo con interfaz avanzada CXL 2.0 de 128 GB. Esta nueva memoria está prevista para su producción en masa este mismo año y así ofrecer a los servidores y centros de datos todas sus ventajas incluidas en esta nueva versión. Esta nueva memoria más rápida ha sido fruto de un trabajo en colaboración con Intel y su plataforma para servidores Xeon.

La nueva memoria DRAM CXL 2.0 de Samsung ahora es compatible con la interfaz PCI Express 5.0 con 8 carriles capaz de proporcionar un ancho de banda de 35 GB/s. Este tipo de memoria CXL en su nueva versión 2.0 es compatible con agrupación de memoria, una técnica empleada para vincular múltiples bloques de memoria y asignarla dinámicamente según sea necesaria. Con esta nueva tecnología los servidores y centros de datos podrán reducir el coste en hardware, así como los costes operativos maximizando la eficiencia y disponibilidad de memoria RAM.

Samsung tiene planeado la producción en masa de esta memoria DRAM CXL 2.0 para finales de este 2023, con una oferta que abarcará diferentes capacidades. La memoria CXL es capaz de trabajar junto a la RAM principal, expandiendo su ancho de banda y capacidad, para ofrecer mayor rendimiento en los servidores y centros de datos. Esto permitirá abordar las nuevas tecnologías que demandan una gran cantidad de memoria como la inteligencia artificial y el aprendizaje automático.

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