Samsung debe mejorar su proceso GAA de 3 nanómetros para alcanzar un yield del 70%

Aunque aún hay pocos chips creados con un proceso de 4 nanómetros, los fabricantes de semiconductores ya se están enfrentando a los pedidos con un nodo de 3 nanómetros. Se dice que Samsung ha realizando algunas de estas obleas con proceso GAA 3, pero incompletas. En este primer pedido los chips carecían de la SRAM, debido a la dificultad para obtener una oblea completa utilizando este nodo de fabricación.

Según leemos en el medio coreano Chosun, esta tasa de éxito en la fabricación de obleas es ligeramente superior a la de TSMC, pero Samsung necesita aumentar esta tasa hasta al menos el 70% si quiere asegurarse pedidos de los grandes fabricantes como Qualcomm. Se dice que el proceso GAA 3 de Samsung es superior al FinFET de TSMC, pero ambas compañías aun cuentan con un porcentaje muy bajo de obleas fabricadas para que no supongan una pérdida para el comprador. Incluso la propia Samsung LSI puede negarse a realizar pedidos para fabricar los modem y SoC que emplea en diferentes aplicaciones.

Qualcomm tendría que pagar el pedido completo con el proceso GAA 3 de Samsung para únicamente aprovechar la mitad de las obleas, esto supone una pérdida de la mitad del dinero invertido y que tendría que repercutir en sus chips Snapdragon para finalmente acabar encareciendo el producto final. Samsung debe solucionar este problema si quiere seguir fabricando los procesadores Snapdragon que incluso llevan sus propios teléfonos.

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