Samsung comenzará la fabricación en masa de la V-NAND de más de 300 capas en el 2024

Los fabricantes de memorias NAND siguen avanzando para ofrecer cada vez soluciones más avanzadas que cumplan con las exigencias de la actual tecnología, como mayor almacenamiento y más rápido. Para esto los fabricantes están anunciando su próxima generación de memorias NAND, como ya lo hizo SK Hynix. Ahora le toca el turno a Samsung, que no ha desvelado la cantidad de capas con las que contará su novena generación de memorias, pero que será el mayor número de capas del sector y la mayor densidad.

Así, esta novena generación de memorias NAND de Samsung vendrá con más de 300 capas en un formato de doble pila. Este mayor número de capas permite mayor densidad de almacenamiento a la vez que se centra en ofrecer mayor velocidad de lectura y escritura. Por el momento el fabricante no ha desvelado las características técnicas de esta próxima generación, pero si quiere tener lista la fabricación en masa de esta novena generación para el próximo año 2024, y así poder incluirla en las próximas unidades SSD compatibles con PCIe 5.0.

De esta forma, Samsung se prepara con estas nuevas innovaciones para las siguientes generaciones de memorias con más de 1.000 capas y con un proceso de fabricación de menos de 10 nanómetros, añadiendo nuevas estructuras apiladas junto con nuevos materiales que permitan el aumento de capas, a la vez que se minimiza la altura. Samsung también ha reafirmado su compromiso con la interfaz de memorias CXL para ofrecer unidades de alto rendimiento con mayor capacidad.

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