Samsung no ha obtenido muy buenos resultados en la fabricación de su memoria HBM

Este 2024 será un importante año para los fabricantes de memoria de alto ancho de banda, la comúnmente conocida como memoria HBM. A pesar de la buena posición de Samsung en cuanto a cuota en la industria de las memorias, parece que no ha obtenido buenos resultados con su memoria HBM debido a una mala decisión. Según vemos en Reuters, Samsung habría optado por continuar con un proceso de fabricación basado en NCF de láminas no conductoras que no ha tenido muy buenos resultados.

Sin embargo, la competencia está obteniendo mejores ventas de su memoria HBM, hablamos de SK Hynix. Este ha cambiado el proceso de fabricación a MR-MUF (Mass Feflow-Molded Undefill) junto con TSV (Through Silicon Via) y está obteniendo muchos mejores resultados en la fabricación de memoria HBM. Parece que Samsung seguirá su técnica, ya que la producción está dentro de los planes del gigante surcoreano, y la tecnología empleada NCF sigue siendo una solución óptima para el fabricante de memorias Samsung.

Samsung también adquirirá soluciones basadas en MUF, pero no parece que vaya a adoptar esta solución de inmediato debido al tiempo necesario para las pruebas y fabricación. Samsung parece que empleará la tecnología actual NCF junto con la nueva MUF para producir memorias HBM de próxima generación.

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