SK-Hynix invertirá 1.000 millones de dólares en mejorar la tecnología de empaquetado avanzado en sus instalaciones

Con un mercado en auge de las memorias DRAM seguido de uno con similares ventajas de la memoria NAND, los fabricantes están invirtiendo en ofrecer mejores soluciones cada día. Otro campo que está creciendo considerablemente es el del empaquetado de chips avanzado, dando importancia a este proceso de cara a mejorar la tecnología actual de memorias orientadas a aplicaciones que requieren un mayor ancho de banda, las HBM. SK Hynix ha revelado que realizará una inversión de 1.000 millones de dólares en sus instalaciones de empaquetado avanzado de chips.

Esta inversión se realizará en sus fábricas para ofrecer un mejorado proceso de empaquetado avanzado de memoria HBM, una memoria muy demandada durante este 2024. El fabricante también ha revelado que ha agotado la línea de producción de este tipo de memoria para todo este 2024, ofreciendo ventaja a SK Hynix que puede convertirse en el principal fabricante de este tipo de memoria de cara al 2025. Este presupuesto de 1.000 millones irá destinado a avanzar en la tecnología MR-MUF (Mass Reflow-Molded Undefill) y TSV (Through Silicon Via).

Unas tecnologías que tienen que ver con las nuevas memorias HBM3e de 12 capas, de las que se dice que también ha enviado muestras a NVIDIA para su validación. Un cliente que seguro necesita de una gran cantidad de memorias HBM de última generación para el lanzamiento de su nueva serie de tarjetas aceleradoras Blackwell.

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