SK Hynix ha anunciado que ya tiene listos para el envío a clientes y colaboradores los primeros chips de memoria de alto ancho de banda (HBM) de tercera generación con 12 capas, es decir, memorias HBM3 de 12 capas apiladas.
Gracias al apilado vertical de 12 capas en cada chips, se consigue que cada uno alcance 24 GB de capacidad, pudiendo ser utilizado en sistemas de alto rendimiento que requieran grandes cantidades de memoria. Por ejemplo, una GPU dotada de cuatro de estos chips tendría 64 GB de capacidad.
Se trata de un aumento de la capacidad del 50% desde su generación anterior de memorias de este tipo, manteniendo el mismo tamaño y permitiendo ampliar la capacidad sin necesitar más espacio en los PCB. En cuanto a la altura, miden lo mismo que los módulos de 16 GB gracias al uso de la tecnología TSV ("Through Silicon Via") que permite interconectar las distintas capas con un electrodo que las conecta de manera vertical a través de miles de pequeños agujeros.
Esta tecnología se había utilizado previamente en chips de DRAM convencionales, y SLK Hynix la ha utilizado en sus HBM3 de 12 capas.
Por el momento, estos chips se están enviando ya a los clientes interesados al mismo tiempo que se realizan las pruebas de rendimiento antes de su puesta ala venta a gran escala.
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