A finales del pasado año, varias informaciones hacían referencia a los supuestos problemas de Samsung para conseguir un yield viable por encima del 70% en su proceso de fabricación de 3 nanómetros. El "yield" hace referencia al rendimiento del proceso y se mide en el % de chips viables que se consiguen por cada oblea.
Ahora, la compañía coreana ha salido a la palestra a asegurar que su proceso de 3 nanómetros tiene un rendimiento y yield estable y no hay problemas en ese sentido, alegando que se están cumpliendo los planes que tiene la compañía para la segunda generación del su proceso de 3 nanómetros con tecnología GAA (Gate All Around) y que sustituye a la anterior FinFET.
Se espera que los primeros chips que se fabriquen con la segunda generación del proceso de 3 nanómetros de Samsung sean los propios procesadores de la compañía, empezando por el Exynos W1000. Este SoC está orientado a smartwatches como los próximos Galaxy Watch 7 y sería de los más beneficiados por la mejora de eficiencia que debería conseguir el salto a los 3 nm.
Con un consumo bajo, sería capaz de mejorar en hasta 3 veces el rendimiento de la generación actual.
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