Para ofrecer unidades de almacenamiento más rápidas y con mayor capacidad, los fabricantes siguen avanzando en la fabricación de nuevos módulos de memoria. Samsung ha anunciado que inicia la producción en masa de su memoria QLC V-NAND de 1Tb (1 terabit). Esta es la novena generación de memorias QLC V-NAND de Samsung que se suma a la que ya comenzó a fabricar hace unos meses de tipo TLC. Las memorias QLC ofrecen 4 bits por cada celda, permitiendo mayor capacidad por cada chip.
Con esta nueva memoria, Samsung ha conseguido duplicar la velocidad de escritura con una reducción del consumo de energía. Una reducción de hasta un 30% para la lectura de datos y un 50% para la escritura, gracias a la tecnología implementada que minimiza las acciones innecesarias de los chips de memoria.
Según Samsung, esta nueva generación de memorias más rápidas y eficientes llegan para abordar las necesidades que genera la Inteligencia Artificial en cuanto a almacenamiento de datos. Para esto se ha utilizado una tecnología con un mayor número de capas con estructura de doble pila que ha conseguido mejorar la densidad en un 86%.
Esto ha conseguido mejorar la fiabilidad de estas memorias en un 20%, gracias a la tecnología Designed Mold que permite uniformizar y optimizar las celdas de las distintas capas. Si ya han comenzado su fabricación en masa esperamos verlas pronto en nuevos discos SSD e incluso en dispositivos móviles.
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