Samsung también enseñará en el SSCC su memoria NAND Flash 3D QLC de 280 capas y chips DDR5 de 32 Gb a 8.000 MHz

Con motivo de la celebración el próximo mes de febrero del SSCC 2024, se dice que Samsung mostrará su memoria GDDR7 a 37 Gbps. Pero parece que no es todo lo que el fabricante coreano se tiene guardado. Samsung también traerá otras novedades como una nueva memoria NAND flash 3D QLC de 280 capas y chips de memoria DDR5 más rápidos con una capacidad de 32 Gb.

Samsung presentará varias novedades este próximo SSCC 2024 que dará comienzo el próximo mes de febrero. Entre ellas encontraremos memoria NAND Flash 3D QLC de 280 capas. Esta memoria ofrecerá una capacidad de 1 Tb (Terabit) que se podrán añadir a la próxima generación de teléfonos móviles y discos SSD. Esta nueva memoria ofrecerá una velocidad de 3,2 GB/s frente a los 2,4 GB/s que ofrecen las actuales memorias, y cuenta con una densidad de 28,5 Gb/mm².

También traerá novedades para la memoria DDR5, Samsung presentará un chip de memoria con velocidad de 8.000 MHz y una capacidad de 32 Gb (Gigabits) que ofrecen 4 GB por cada chip. Estos chips están construidos con un nodo de 10 nm mejorado de Samsung y optimizado para memoria DRAM, capaz de ofrecer una celda de mosaico simétrica. Con estos chip se podrán construir módulos de memoria DDR5 de una sola cara de 32 y 48 GB e incluso de doble cara con capacidades de 64 GB y hasta 96 GB por módulo. Esta nueva capacidad de 96 GB por módulo puede ampliar aún más la memoria máxima, que recientemente se ha incrementado para soportar hasta 256 GB, y que permitiría un máximo de 384 GB de memoria RAM para configuraciones con 4 módulos de 96 GB.

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