Samsung está trabajando en memorias flash NAND de 400 capas con tecnología de apilado BV

Para ofrecer mayores velocidades y más capacidad de almacenamiento en las nuevas memorias flash V-NAND, los fabricantes están abordando problemas que se presentan con estas próximas generaciones. Samsung ya está produciendo su memoria de novena generación, que cuenta con 286 capas, pero superar la barrera de las 300 capas ha sido todo un desafío. Conseguir memorias con más de 300 capas hacía que las memorias se dañaran frecuentemente, por lo que han tenido que recurrir a otros sistemas de fabricación.

Samsung quiere fabricar memorias flash V-NAND de 400 capas para el 2026, esto ha supuesto todo un reto al enfrentarse con estos problemas en memorias de más de 300 capas. Para solucionar el problema, Samsung ha desarrollado la décima generación de estas memorias que utilizará la tecnología Bonding Vertical NAND. Para esto se fabricarán el almacenamiento y los circuitos necesarios por separado, apilándolas posteriormente. Esto cambiará el apilado actual Co-Packaged para ofrecer una densidad de bits superior en la misma área de hasta un 60% más.

Para el 2027, Samsung quiere tener lista su undécima generación de este tipo de memorias, e incluso chips con 1.000 capas para el 2030. Pero Samsung también tiene planes para sus memorias DRAM, donde planea construir nuevas memorias fabricadas a 10 nm para la mitad del próximo año y comenzar con la séptima generación de memorias construidas por debajo de los 10 nanómetros, con una estructura 3D de transistor vertical, similar a la empleada para la memoria flash NAND.

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