Las memorias V-NAND TLC de 9a generación de Samsung entran en producción en masa con un 50% más de densidad

Samsung ha iniciado la fabricación en masa de su novena generación de memorias V-NAND (NAND Flash de celdas 3D verticales). Se trata de nuevos chips de un Terabit (1 Tb) de capacidad y de tipo TLC.

Estas memorias integran la nueva interfaz Toggle 5.1 de Samsung, con al que la compañía promete velocidades de entrada y salida de datos de hasta 3,2 Gbps. Se trata de una mejora de un 33% respecto de las generaciones anteriores. También se han reducido el consumo de energía en un 10% gracias a su rediseño.

OTra mejora de esta nueva generación respecto de la 8a gen, es el aumento considerable de la densidad de bits que se pueden almacenar en cada chip. Samsung promete un aumento del 50% en la densidad conseguida en esta nueva generación.

Los chips de memoria V-NAND TLC de novena generación de Samsung están enfocados para su uso en SSD de altas prestaciones con interfaces M.2 NVMe PCI Express 5.0 x4.

Además de las memorias V-NAND TLC de novena generación que ya se fabrican a gran escala, la compañía coreana tiene planes para lanzar la variante V-NAND QLC durante la segunda mitad de este año. Las memorias QLC ofrecen más capacidad y menor precio, aunque con menores prestaciones.

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