Si, no nos hemos equivocado en el titular, 512 GB de capacidad es lo que promete Samsung en sus nuevos módulos de memoria RAM DDR5, una capacidad que iguala e incluso supera a muchos SSD en capacidad, pero con unas velocidades muy superiores de hasta 7.200 megabits por segundo, el doble que la memoria DDR4.
Para crear este módulo, han utilizado chips de 16 Gb (Gigabits) mediante la tecnología TSV (Vía a través de silicio), que ya utilizó la compañía para crear módulos DDR4 de 256 GB, y fabricados con el proceso HKMG (High-K Metal Gate) que permite una densidad superior a la de los módulos tradicionales y que la compañía ya había utilizado en sus chips GDDR6. Esta tecnología sustituye el material aislante típico con un material metálico especial más fino que permite reducir fugas y mantener más rendimiento, además, gracias a este proceso estos módulos consumen un 13% menos, una reducción considerable teniendo en cuenta al sector al que van enfocados.
Hasta ahora, habíamos visto previsiones de módulos DDR5 de hasta 256 GB por parte de Hynix utilizando TSV, una tecnología que genera conexiones verticales a través de las obleas de silicio para crear chips 3D interconectados.
Los módulos DDR5 de 512 GB de Samsung será compatibles con los procesadores Intel Xeon Sapphire Rapids para supercomputación
Antes de que os hagáis ilusiones, comentar que estos módulos están orientados a superordenadores, sistemas de inteligencia artificial y machine learning y, en definitiva, a equipos alejados de lo que puede considerarse un ordenador doméstico. De hecho, Samsung ha asegurado la compatibilidad con los próximos procesadores Intel Xeon Scalable "Sapphire Rapids".
Por el momento, estos módulos se encuentra en fase de fabricación de samples para enviar a los partners de la compañía y certificar su funcionamiento con distintas plataformas antes de comenzar la producción en masa.
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