Los procesadores Intel Xeon Sapphire Rapids contarán con hasta 64 GB de memoria HBM2e integrada

64 GB de memoria RAM HBM2e de alto ancho de banda. Esa es la cantidad de memoria que integrarán en el propio chips los modelos más potentes de CPUs Xeon la gama Sapphire Rapids de Intel. Hasta ahora sabíamos que cada chip podría llevar hasta 4 módulos apilados de memoria HBM, pero Intel ha confirmado que cada uno tendrá 16 GB para formar un total de 64 GB.

Sapphire Rapids tendrá tres modos de uso de la memoria HBM2e: como caché para DDR5, combinada o independiente.

Estos procesadores podrán modificar la manera de trabajar con esta memoria entre distintos modos. Se podrá hacer que tanto la memoria HBM2e integrada como los módulos de RAM DDR5 conectados a la placa base trabajen como un conjunto de memoria con espacios de memoria contiguos. El otro modo utiliza la HBM2e a modo de caché para la DDR5, de tal forma que el mayor ancho de banda y velocidad de la HBM2e servirá para acelerar el acceso a datos de uso habitual que estuvieran antes en la DDR5. Naturalmente, este tipo de caché está orientada a sistemas de alto rendimiento en centros de cómputo y centros de datos.

Adicionalmente a estos dos modos, habrá un modo que empleará únicamente la memoria HBM2e integrada como RAM, prescindiendo de la memoria DDR5 y consiguiendo aprovecharse directamente de las mayores prestaciones. Dependiendo de la tarea a realizar, 64 GB de RAM por socket podrían ser más que suficientes y no se lastraría al sistema con la mayor "lentitud" de las DDR5. Toda esta estrategia buscaría competir con los AMD EPYC "Milan-X" dotados de caché Vertical 3D o "3D V-Caché."

Otro detalle de esta arquitectura Sapphire Rapids es el aumento de caché L2 hasta los 2 MB  por cada núcleo de arquitectura Golden Cove. La misma arquitectura utilizada en Alder Lake para los P-Cores de alto rendimiento se aplica con solo 1,25 MB de L2. En cuanto a caché L3, Intel promete hasta 100 MB.

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