Samsung completa el diseño de su memoria GDDR7 a 32 Gbps y un 20% más eficiente energéticamente

La industria ya se está preparando para la próxima generación de memoria GDDR7, Samsung ha anunciado que ya ha terminado el desarrollo de su memoria GDDR7 con una velocidad de hasta 1,4 veces superior a la más rápida GDDR6 y con un consumo inferior. Estos nuevos módulos de memoria se instalarán en sistemas de prueba para su verificación durante el 2023 en clientes colaboradores de Samsung.

Esta nueva memoria de 16 Gigabits es la más rápida en su categoría con una velocidad de 32 Gbps, capaz de potenciar los sistemas que usan IA o HPC. Esta velocidad supone un incremento de 1,4 veces más respecto a la GDDR6 a 24 Gbps que actualmente se usa. Esto incrementa el ancho de banda actual de 1,1 TBps de GDDR6 hasta los 1,5 TBps de esta nueva GDDR7. Esto es posible gracias a la adaptación del sistema PAM3 en lugar de utilizar NZR como en versiones anteriores.

Pero también viene con un importante ahorro energético, hasta un 20% menos de consumo que esta GDDR6 actual, y optimizado para operaciones de alta velocidad. Además, para aplicaciones que así lo requieran en dispositivos portátiles, estas memorias cuentan con un modo de bajo voltaje. También se ha empleado un material de alta conductividad para ofrecer mayor disipación, reduciendo la resistencia térmica en hasta un 70%. Así se consiguen mejores resultados, incluso cuando GDDR7 tiene que ofrecer el máximo.

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