El próximo estándar GDDR7 utilizará señalización PAM3 que emplea 3 bits por ciclo para ofrecer hasta 36 Gbps

Hace poco conocíamos como Samsung presentaba la memoria GDDR6W, basada en tecnología GDDR6, en la que había conseguido doblar el ancho de banda y los ciclos de entrada y salida. Ahora también conocemos, gracias a Samsung, algunos detalles del próximo estándar de memoria GDDR7. En el IEDM22, Ian Cutress ha publicado en su cuenta de Twitter que este próximo estándar de memoria utilizará señalización PAM3 para mejorar aún más sus características.

Actualmente, la memoria GDDR6 utiliza NRZ que emplea 1 bit por cada ciclo, con PAM4 usada en la GDDR6X se aumentó esta capacidad a 2 bits por ciclo, aumentando el ancho de banda de la memoria y su velocidad para obtener hasta 23 Gbps que es más rápida del estándar GDDR6. Pero con GDDR7 se empleará señalización PAM3 que permite hasta 3 bits por ciclo, de esta forma se podrá duplicar el ancho de banda y obtener mayor velocidad que con GDDR6X.

Con GDDR7 se obtienen hasta 36 Gbps, duplicado la velocidad de GDDR6 a la vez que se reduce el consumo. Esto ofrecerá un ancho de banda de 1.728 GB/s cuando el bus de memoria sea de 384 bits. También obtendrá un 25% más de eficiencia energética respecto a PAM4, que a su vez ya había rebajado el consumo en otro 25% respecto a NRZ. En definitiva, tendremos un estándar de memoria GDDR7 capaz de ofrecer mucha más velocidad, mayor ancho de banda y todo con un consumo más contenido para la próxima generación de tarjetas gráficas.  

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