HUAWEI y SMIC han patentado un sistema de patrones cuádruples para la fabricación con un nodo de 5 nm

Para continuar avanzando en su desarrollo propio, el fabricante de tecnología chino junto con el primer fabricante de semiconductores también del país, han presentado una nueva patente que permitirá la fabricación con un nodo más avanzado de los 7 nanómetros actuales. Hablamos de HUAWEI y SMIC, que han presentado esta patente para la fabricación utilizando patrones cuádruples auto alineados para lograr este nodo inferior de 5 nanómetros del que se habla que comenzarán a fabricar en breve.

Parece que SMIC y HUAWEI han estado trabajando con maquinaria DUV para conseguir esta técnica de grabado de patrones y que a la vez cumpla con las normas de exportación que ha impuesto Estados Unidos. Esta técnica de patrones duales ha sido la empleada por SMIC para su nodo de 7 nanómetros, para conseguir bajar a los 5 nanómetros habría que volver a duplicar esta técnica, realizando varias vueltas para grabar el diseño en la oblea de silicio.

Como ya se había comentado, realizar estos nodos más pequeños con maquinaria DUV en lugar de EUV requerirá de mayores complicaciones, como un yield mucho mayor. Unos costes muy superiores que podrán compensar con las ayudas que recibe SMIC del gobierno y con el apoyo de los grandes pedidos que HUAWEI realiza al fabricante local para eliminar la dependencia de otros países y crear una cadena de suministro local acorde a las necesidades tecnológicas de los fabricantes.

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