SK Hynix presume de los primeros chips de memoria DDR5 fabricados a 10 nanómetros en su nodo 1C

SK Hynix, uno de los principales fabricantes de memorias del mercado, ha anunciado el desarrollo de los primeros chips de memoria DDR5 de 16 Gb (Gigabits, no confundir con GigaBytes) fabricados en su nodo 1C de 10 nanómetros. 

Aunque en otros chips como procesadores ya se ha dado el salto a procesos con nodos más reducidos, los chips de memoria DRAM tienen una complejidad distinta que no los hace tan aptos para la reducción de procesos, de hecho, SK Hynix es la primera en conseguirlo. Para ello ha implementado nuevos materiales en sus maquinarias EUV (Extreme UltraViolet).

La producción en masa de los nuevos chips 1c de memoria DDR5 comenzará dentro de un año, momento en el que comenzarán también los envíos a gran escala a los fabricantes de sistemas y módulos de RAM. Este proceso es una mejora del anterior 1b, ya que está basado en este proceso para mantener su estabilidad y buen rendimiento.

Con esta tecnología, la compañía espera una mejora del 11% en el rendimiento al alcanzar los 8 Gbps, al mismo tiempo que se mejora la eficiencia energética en un 9%. Inicialmente, estos chips estarán orientados a centros de datos de alto rendimiento, en los que esperan poder reducir el consumo en un 30% con estas nuevas memorias.

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