Aunque los planes de SK Hynix para comenzar con la fabricación de sus chips de memoria HBM4 en 2025 estaban basados en utilizar el proceso de fabricación de 5 nanómetros, finalmente parece que aprovecharán la buena evolución de los 3 nanómetros de TSMC para lanzar la producción directamente en este proceso más avanzado de sus chips de gama alta.
El principal cliente de estos chips de memoria HBM4 será NVIDIA, compañía que ya habría presionado a SK Hynix para que adelantara su producción y así poder implementarlos en sus nuevas GPUs aceleradoras durante la segunda mitad del año 2025. El auge de la Inteligencia Artificial ha colocado a NVIDIA como el principal proveedor de tarjetas aceleradoras, pero la evolución es tan rápida que la compañía parece tener prisa para no quedarse atrás y seguir dominando el mercado con mano de hierro.
El salto de los 5 nanómetros a los 3 nanómetros supondrá una mejora de rendimiento y eficiencia que se espera que ronde el 40%.
La decisión de utilizar el proceso de TSMC, compañía con la que ya colaboraban para el desarrollo de HBM4, les permitirá ofrecer una ventaja respecto a los 4 nanómetros de las memorias HBM4 de Samsung. No obstante, SK Hynix dispone también de sus propios nodos y, de hecho, los chips de memoria HBM4 convencionales se fabricarán a 12 nanómetros, dejando estos de 3 nanómetros para aplicaciones y clientes muy específicos.
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