Intel Foundry presenta nuevos materiales y tecnologías avanzadas para la fabricación y empaquetado de chips

La división de fundición de Intel, conocida como Intel Foundry, ha recibido un empujón de la mano de Pat que recientemente ha anunciado su jubilación. Pero sigue añadiendo novedades para satisfacer la demanda que la Inteligencia Artificial genera en estos días, con procesos de fabricación y un sistema de empaquetado avanzado.

Intel ha presentado nuevos materiales que ofrecen hasta un 25% más de capacitancia gracias al Rutenio. Este nuevo material permite conexiones más eficaces, más pequeñas y que ofrecen menos resistencia. Este sistema avanzado de interconexión podremos verlo en futuros nodos avanzados de Intel.

También ha presentado una nueva tecnología para empaquetado avanzado SLT (Selective Layer Transfer), con hasta 100 veces más velocidad. Esto permitirá el empaquetado de 15.000 baldosas en minutos, frente a varias horas e incluso días, tiempo que llevaría con otras tecnologías. Esto ofrece unos chips más delgados y que permiten tamaños de troquel más pequeños, que da lugar a mayor densidad ofreciendo soluciones más económicas y flexibles incluso reduciendo el tamaño.

Otra de las novedades es sobre los transistores CMOS RibbonFET de silicio GAA cuya puerta se ha reducido hasta los 6 nm. Esto permite reducir el tiempo para aumentar el rendimiento, que permite seguir cumpliendo la Ley de Moore. Intel también ha mostrado sus avances con los transistores FET 2D GAA NMOS y PMOS que tienen una longitud de puerta de 30 nm que ayudarán en la fabricación de semiconductores del futuro.

Además, Intel mostró sus avances en la investigación de la tecnología de nitruro de galio (GaN) de 300 milímetros, una tecnología que permitirá aumentar el voltaje y que soportará temperaturas más altas que el silicio. Este tipo de transistores tiene uso en la radiofrecuencia y la electrónica que requiere de mayor potencia, y que además mejorará los esquemas de integración avanzados.

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