Samsung comienza la producción en masa de la tercera generación DDR4 DRAM 10nm-class

Toca nueva generación, y Samsung ha anunciado que se preparan para producir en masa la versión 1z-nm para DDR4, y lo hará fabricando los primeros módulos de 8 GB.

El hecho de llamarse tercera generación DRAM 10nm-class podría dar lugar a confusión, y es que realmente 10nm-class significa un número de nanómetros entre 10 y 19 nm, pero no tienen que ser necesariamente de 10 nm. Las actuales DDR4 son 1y-nm, y las anteriores eran 1x-nm, cada salto en generación se traduce en fabricación a menor tamaño en nanómetros lo que conlleva mayor eficiencia, menor voltaje, menor temperatura, y velocidades más altas.

Siguiendo con la aclaración, es necesario entender que 1x-nm se refiere a entre 16nm y 19nm, 1y-nm significa entre 14nm y 16nm, y las pertenecientes a la tercera generación, 1z-nm indica un proceso de fabricación de entre 12nm y 14nm.

Seguramente sea la última producción de DDR4 y sea la transición hasta la siguiente DDR5, que fabricantes como SK Hynix ya anunció lanzar a lo largo del año que viene (2020).

Uno podría pensar que con las DDR4 actuales, algunas capaces de dar clocks de hasta 4800 MHz ya debería ser suficiente, pero procesadores con muchos cores tales como los Ryzen Threadripper o los Xeon en servidores que requieran de mucha capacidad de cómputo empiezan a tener el cuello de botella en la RAM del sistema, es por eso de la necesidad de seguir optimizando el rendimiento de estas.

Por poner un ejemplo, los Ryzen cuentan con el bus interno Infinity Fabric, este funciona a 256 bits y se comunica directamente con la RAM del sistema, sincronizándose con sus clocks, de tal manera que una alta velocidad de RAM influye directamente en el rendimiento final del procesador.

Se espera que empiece la producción de la 3rd-gen de DRAM DDR4 en la segunda mitad 2019, para estar listas a fin de año o inicios de 2020 en el mercado.

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