Samsung lanza sus primeros chips de memoria HBM2E con más rendimiento y el doble de capacidad

Samsungg ha anunciado el lanzamiento de su tercera generación de memorias HBM2E, o "memorias de alto ancho de banda 2E", en forma de chips con 16 GB de capacidad cada uno, es decir, el doble que la generación anterior, y con más rendimiento.. Estos chips están orientados a sistemas de alto rendimiento como superordenadores, sistemas de procesamiento avanzado o equipos enfocados a Inteligencia Artificial. Pudimos conocer los primeros detalles en el GTC 2019 y ahora ya son una realidad.

Con esos 16 GB, la tercera generación de memorias HBM2E, con nombre en clave "Flashbolt" duplica la capacidad de los anteriores módulos de memoria HBM2 de la compañía, que contaban con un máximo de 8 GB por cada chip. También encontramos mejoras de rendimiento gracias al uso de un proceso de fabricación de 10 nanómetros y a la incorporación de 16 Gigabits de memoria DRAM a modo de buffer en cada uno de los chips colocados de manera vertical.

La comunicación entre capas se realiza a través de pequeños microcanales verticales, en concreto, cada chip HBM2E incluye 40.000 de estas conexiones, con unas 5.600 por cada capa.

El rendimiento que pueden alcanzar estos chips de HBM2E alcanza los 4,2 Gbps con un ancho de memoria de 538 GB/s, aunque los primeros modelos funcionan a 3,2 Gbps con 410 GB/s por cada módulo.

La llegada de los primeros chips fabricados en masa se realizará antes de la mitad de este año y convivirá con la segunda generación HMB2 denominada con el nombre en clave "Aquabolt".

Fin del Artículo. ¡Cuéntanos algo en los Comentarios!