Micron ya dispone de módulos LPDDR5X a 9,6 Gbps optimizados para el Snapdragon 8 Gen 3

Micron ha desvelado que ya está enviando los primeros chips de memoria LPDDR5X a 9,6 Gbps de velocidad y que son los únicos optimizados especialmente para funcionar con el nuevo Snapdragon 8 Gen 3 que Qualcomm ha presentado estos días para smartphones de gama alta y donde la Inteligencia Artificial jugará un papel clave al poderse ejecutar localmente sin necesidad de conexión a servidores externos.

Estos chips están fabricados con el proceso 1β de Micron y permite aumentar la eficiencia energética al mismo tiempo que presume de ser la memoria para smartphones más rápida del mundo, con un 12% más de rendimiento máximo que la pasada generación y 30% más de eficiencia que los módulos fabricados en el proceso 1 alpha anterior. Con estas cifras, Micron promete un mayor rendimiento en tareas de inferencia de modelos de Inteligencia Artificial

La velocidad será la misma que la que anunció Sk Hynix en su día para sus LPDDR5T, aunque en este caso, Micron ya está enviando los primeros chips de pruebas a fabricantes colaboradores.

Los chips que Micron está enviando de LPDDR5X a 9,6 Gbps alcanzan los 16 GB de memoria por chip, por lo que podremos ver smartphones con capacidades de memoria RAM bastante elevada en esta próxima generación.

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