La memoria LPDDR5X está llegando a los nuevos teléfonos móviles, como el nuevo OnePlus 11 que cuenta con hasta 16 GB de esta memoria. Pero Hynix está desarrollando una nueva memoria de bajo consumo y más rápida que LPDDR5X, la LPDDR5T, donde la T final corresponde a Turbo. Esta memoria es capaz de funcionar con una velocidad de hasta 9,6 Gbps, superando en un 13% a la anterior generación LPDDR5X que ha sido presentada hace tan solo unas semanas.
Esta memoria ya se ha proporcionado a algunos clientes integrando varios chips de 16 GB de la nueva LPDDR5T que ha conseguido procesar 77 GB de datos por segundo. Pero no solo destaca por su rapidez, también presenta un consumo ultrabajo de 1.01 a 1.12 V tal y como establece la JEDEC en su última actualización para el estándar de memoria.
El fabricante especializado en memorias tiene planes para comenzar la producción en masa en la segunda mitad de este año. Se empleará un proceso 1 anm que es la cuarta generación del proceso de 10 nm, y se usará la tecnología HKMG para conseguir un mejor rendimiento en los chips de memoria. Se espera que esta nueva memoria se pueda aprovechar en otras tecnologías más allá de los teléfonos móviles, como pueden ser la IA, el aprendizaje automático o la tan de moda actualmente realidad virtual y aumentada.
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