Samsung ha anunciado hoy que ha enviado satisfactoriamente el primer cargamento de un millón de módulos de memoria RAM basados en litografía EUV 10nm-class, convirtiéndose así en el primer fabricante de memoria RAM en utilizar este proceso para fabricar los chips DRAM necesarios para la fabricación de estos módulos.
La utilización de EUV en los chips DRAM de Samsung le permite a la compañía reducir pasos repetitivos en el momento de fabricar el chip y mejorar la precisión del modelo, permitiendo así mejorar el rendimiento del chip y aumentar también el yield, que sería el porcentaje de chips funcionales que se consiguen extraer de una oblea, y del que directamente dependen los beneficios de la compañía en cuanto al rendimiento que se puede extraer de un nodo de fabricación.
Como ya hemos mencionado antes, Samsung es la primera marca en utilizar EUV para la fabricación de chips DRAM, y se espera que de cara a 2021 la compañía empiece la producción en masa de memoria RAM DDR5 siguiendo este mismo proceso en el nodo 10nm-class (D1a), doblando así la productividad de las obleas de 12 pulgadas que encontramos en el proceso D1x actual.
Se desconoce si la implementación de este proceso, gracias al aumento del yield, podría reducir el precio de la memoria RAM, aunque es algo que solo el tiempo dirá.
Fin del Artículo. ¡Cuéntanos algo en los Comentarios!
