Samsung trabaja en chips de memoria NAND de 160 capas

Según aseguran en etnews, Samsung está acelerando el desarrollo de sus primeras memorias NAND Flash de apilamiento vertical (3D NAND o V-NAND) con 160 capas por chip. Estas memorias supondrán la séptima generación de chips V-NAND de la compañía coreana y les permitirá ponerse a la cabeza de un mercado cada vez más competitivo.

La sexta generación de memorias V-NAND, que la compañía anunció hace algo más de un año, alcanzaba 136 capas, por lo que este salto añade 24 capas más a los chips, permitiendo una mayor densidad de almacenamiento en el mismo área. Aun así, a día de hoy, los chips con memorias V-NAND con mayor número de capas que se comercializan no pasan de 128 capas, ya que las soluciones superiores todavía no están en producción en masa.

Con esta séptima generación, Samsung estaría planteándose dar el salto a una distribución de doble pila o doble apilado que permitiría la creación de espacio entre cada módulo de celdas superpuestas para poder añadir circuitos para la transmisión de corriente. Actualmente la compañía utiliza una distribución de apilado simple.

Por el momento no hay muchos detalles más, ya que no sabemos cuándo llegarán al mercado ni el rendimiento que ofrecerán en los productos finales en los que se integren. Es de esperar que más compañías del sector, como SK Hynix, también anuncien a corto plazo soluciones similares con más densidad de capas apiladas.

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