La sucesora de la actual memoria HBM2e se denominará HBM3 o memoria de alto ancho de banda de tercera generación. SK Hynix ha desvelado, en su portal sobre la actual generación, que sus tecnología HBM 3 superará los 665 GB/s de ancho de banda por cada "pila" de memoria (las memorias HBM se distribuyen en apilados de varios chips para cada módulo).
Se trata de una mejora bastante importante desde los 460 GB/s de la HBM2e y significa que una GPU, por ejemplo, que tenga cuatro pilas de memoria HBM3 sobre un bus de 4096 bits podría alcanzar anchos de banda teóricos de más de 2,66 TB/s. Para ello, las memorias HBM3 de Hynix ofrecerán 5,2 Gbps (Gigabits por segundo) de velocidad en cada pin, 1,6 Gbps más que la tecnología predecesoras.
Una GPU o chip con cuatro módulos HBM3 superará los 2,6 TB/s de ancho de banda
HBM3 todavía no es un estándar reconocido por la JEDEC; pero es de esperar que la especificación final sea similar a la tecnología que está desarrollando SK Hynix. No obstante, hay otras compañías como InnoSilicon que ya trabajan en memorias HBM3 que alcanza los 6,4 Gbps por pin para un ancho de banda total por módulo de 920 GB/s.
Sk Hynix solo ha mencionado velocidades de 665 GB/s "o más", por lo que el margen de velocidad antes de que se lancen los primeros chips con esta tecnología es amplio.
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