La JEDEC ha presentado GDDR7, su nuevo estándar de memoria para gráficos centrado en ofrecer un mayor ancho de banda

El organismo encargado de definir (entre otros) los estándares de memoria, la JEDEC, ha publicado el estándar de la próxima memoria para tarjetas gráficas GDDR7. Como principal novedad en este nuevo estándar, se ofrece el doble de ancho de banda que con el anterior GDDR6, preparado para la actual demanda que requieren las aplicaciones de hoy en día, entre las que se encuentran las dedicadas a la Inteligencia Artificial.

Como ya habíamos comentado, GDDR7 utilizará una interfaz de modulación de pulso PAM3, esta mejorará a la anterior SNR en operaciones de alta frecuencia y ofrecerá un menor consumo energético. También ofrece mayor velocidad de transmisión al ser capaz de transmitir 3 bits en 2 ciclos, frente a los 2 bits en 2 ciclos de la interfaz tradicional.

Además, se han añadido otra serie de mejoras en esta nueva generación GDDR7:

• GDDR7 utiliza patrones LFSR independientes con contadores de errores para mejorar el entrenamiento y reducir su tiempo necesario.
• Duplica el número de canales independientes de 2 a 4.
• Ahora es compatible con densidades de 16 Gb a 32 Gb, incluido un modo de compatibilidad de 2 canales para duplicar la capacidad del sistema.
• Es compatible con funciones de integridad de datos como ECC en el propio chip, verificación y depuración de errores y paridad de dirección de comandos con bloqueo (CAPARBLK).

Con este nuevo estándar GDDR7 y una interfaz PAM3, se permitirá ofrecer a los usuarios un mejor rendimiento que permitirá la evolución de los gráficos. GDDR7 se ha centrado en ofrecer un mejor ancho de banda requerido por las aplicaciones actuales como juegos en la nube, Inteligencia Artificial o computación en la nube.

Este nuevo estándar ha sido apoyado por los principales involucrado en la industria, entre ellos se encuentran fabricantes de tarjetas gráficas y memoria como NVIDIA, Samsung, AMD, Micron o SK Hynix, que han mostrado su entusiasmo para comenzar la fabricación e implementación de este nuevo tipo de memoria.

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