Samsung está desarrollando sus próximas memorias HBM4 para preparar su llegada durante el año 2025. Estos módulos sustituirán a los actuales HBM3e y alcanzarán hasta 16 capas apiladas, además de disponer de chips con 8 y 12 capas para distintos usos en todo tipo de dispositivos.
Las memorias HMB4 de Samsung de 16 capas podrían alcanzar hasta 256 GB de capacidad en una GPU (si se utilizan los mismos módulos de 24 Gigabits) con un ancho de banda considerablemente superior a los 10 Gbps de las actuales generaciones.
Con 256 GB de capacidad, es de esperar que los primeros dispositivos que hagan uso de esta tecnología sean, por ejemplo, tarjetas gráficas aceleradoras para IA como las sucesoras (o actualizaciones) de las NVIDIA Blackwell B200 o de las AMD Instinct MI300. Pudiendo pasar de 192 GB a 256 GB en el mismo espacio y con el mismo número de chips.
Las memorias HBM4 también podrían adoptar la tecnología de fabricación 3D. Actualmente se fabrican con una combinación denominada 2.5D, pero el salto a un empaquetado completamente 3D sería el próximo paso lógico.
Por el momento no hay muchos más detalles y no ha transcendido ni el nombre en clave que tendrán estas HBM4 de Samsung. Las anteriores generaciones se denominaban Flarebolt y Aquabolt (HBM2), Flashbolt (HBM2E), Icebolt (HBM3) y Shinebolt(HBM3E).
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