Samsung está empezando a fabricar chips eUFS de 1TB de capacidad para smartphones

Samsung Electronics ha empezado la producción en masa de nuevos chips eUFS (embedded Universal Flash Storage) o almacenamiento Flash Universal incorporado. Se trata de la versión eUFS 2.1, omitiendo de momento la esperada 3.0, pero que al menos permite doblar la capacidad de los actuales 512 GB como la incluida en modelos como el Samsung Note 9 más caro.

En una era en la que se demanda cada vez más capacidad de almacenamiento, ¿quién no ha sufrido del típico problema de no tener espacio suficiente al intentar instalar o actualizar una aplicación en su terminal?, la solución se decanta por unidades de almacenamiento de una capacidad impensable hace un par de años atrás.

Usando el mismo tamaño de (11.5mm x 13.0mm), los nuevos eUFS doblan su capacidad de almacenamiento usando 16 capas de memoria flash V-NAND de 512 gigabits y un controlador nuevo, alcanzando velocidades de transferencia extraordinarias, tales como hasta 1000 MB/s de lectura secuencial, y hasta 260 MB/s de escritura, las operaciones IOPS se sitúan en un rango de hasta 58000 IOPS de lectura y 50000 IOPS de escritura.

Se espera estar disponibles a tiempo este año, ya que aseguran lanzarlas en la primera mitad de 2019, la próxima generación podrá presumir de disponer 1TB de capacidad interna sin utilizar el “truco” de 512 GB internos ampliables a otros 512 GB con una microSD Card externa.

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