InnoSilicon promete 920 GB/s por cada módulo de sus memorias HBM3

Recientemente os hablábamos de los planes de SK Hynix para lanzar memorias HBM3 con 665 GB/s por módulo y 5,2 Gbps por pin de datos. Ahora es InnoSilicon la que ha mostrado datos de su próxima generación de memorias HBM con la que prometen velocidades por pin de hasta 6,4 Gbps para un total de ancho de banda de 920 GB/s por apilado/módulo.

Esto supondría que una GPU con un bus de datos de 4096 bits podría ofrecer la friolera de 3,68 TB/s de ancho de banda, el doble de lo conseguido con memorias HBM2e de 460 GB/s por módulo.

Las memorias HBM3 de InnoSilicon alcanzarán 24 GB de capacidad por módulo

La compañía ha asegurado que sus chips de memoria soportarán apilados de hasta 12 capas con 24 GB de capacidad por pila, es decir, que un chip con cuatro módulos de HBM3 de InnoSilicon podría alcanzar 96 GB de memoria de alto ancho de banda. Además, serán compatibles con soporte para ECC (código de corrección de errores)

Recordamos que el "estándar" HBM3 no está todavía definido por la JEDEC, por lo que de aquí a que lleguen estos módulos de manera final al mercado podrían sufrir cambios en las especificaciones.

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