Hace poco hablábamos sobre los primeros chips eUFS de 1TB de capacidad para smartphones, los cuales doblaban en capacidad a los actuales y ofrecían buenos registros de rendimiento, pero no incluían la nueva versión eUFS 3.0. Pues bien, Samsung acaba de anunciar que comienzan la producción en masa de dicha versión.
Embedded Universal Flash Storage o almacenamiento Flash Universal incorporado (eUFS) en su versión 3.0, será capaz de doblar en prestaciones de velocidad al existente eUFS 2.1, integrando 8 dies de 512 gigabit V-NAND y un controlador de alto rendimiento, llegando a una velocidad de transferencia de lectura de 2100 MB/s que es más del doble de lo ofrecido por el eUFS 2.1.
La velocidad de escritura secuencial alcanza hasta 410 MB/s, superando con creces los 260 MB/s de eUFS, hablamos de una velocidad de transferencia de escritura que alcanzan los actuales SATA SDD. Las random read and write (velocidades de escritura y lectura aleatorias) de la memoria también se incrementan hasta un 36%, alcanzando números tales como 63000 y 68000 IOPS, permitiendo ejecutar varias aplicaciones simultaneas mejorando la capacidad de respuesta.
Samsung esta ya fabricando las versiones de 512GB y 128GB, y se espera que sobre la segunda mitad de año veamos los modelos de 1TB y 256GB.
Fin del Artículo. ¡Cuéntanos algo en los Comentarios!
