La memoria MRAM de Intel que sustituirá tanto a las memorias DRAM como NAND Flash, ya está lista para su producción

MRAM son las siglas de MagnetoResistive Randoim-Access Memory, una tecnología de memorias que, al contrario que las memorias DRAM actuales, no es volátil. Esto significa que si se se apaga la energía, los datos almacenados en la memoria MRAM no se pierden y se quedan guardados como si se tratara de una memoria NAND Flash como la que integran los SSD.

Las memorias MRAM basan el almacenamiento de datos en el magnetismo al contrario que las RAM que lo basan en la carga eléctrica, y permite realizar lecturas de cada celda midiendo su resistencia eléctrica.

Intel tiene su propia implementación de la memoria MRAM y la compañía ha asegurado que ya están listos para su fabricación.Según los datos de Intel, sus memorias MRAM actuales son capaces de guardar la información durante 10 años con temperaturas de hasta 200 ºC.

Esta tecnología está destinada a sustituir tanto a la memoria RAM como a la memoria de almacenamiento Flash gracias a la combinación de unas tasas de acceso y escritura muy rápidas unidas a la alta durabilidad e los datos. De hecho, esta tecnología podría conseguir tiempos de acceso de tan solo 2 nanosegundos, una velocidad inferior a las memorias DRAM actuales.

Las memorias MRAM de Intel están fabricadas a 22 nanómetros siguiendo el proiceso 22FFL FinFet, un proceso con el que han conseguido una tasa de éxito en la fabricación de 99,9% en chips de 7 Mb.

Está claro que todavía queda tiempo hasta que veamos esta tecnología en ordenadores y dispositivos domésticos, pero las ventajas que supondrá disponer de un almacenamiento tan rápido y no volátil serán toda una revolución en el sector.

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