Intel ha mostrado mejoras en el apilado 3D de transistores y habla sobre su tecnología PowerVia y RibbonFET

Intel presentará en breve sus nuevos procesadores Meteor Lake, unos procesadores que cuentan con la primera arquitectura híbrida 3D. Pero Intel sigue avanzando en la tecnología de apilado en 3D, y ha mostrado durante el IEDM el apilado 3D esta vez con transistores CFET, con un canal de comunicación reducido a solo 60 nm. También ha mostrado avances de sus nuevos transistores RibbonFET junto con la tecnología para llevar la corriente de forma más efectiva y precisa llamada PowerVia.

Con la tecnología de empaquetado en 3D para transistores de tipo CFET se pueden conseguir puertas de paso más pequeñas, concretamente se han reducido hasta los 60 nm, que permitirán añadir esta tecnología en los próximos años. Esta tecnología ofrecerá un mayor rendimiento y eficiencia junto con PowerVia, otra tecnología de Intel que permite un mayor control energético sobre los transistores.

Con PowerVia se ha llevado la alimentación a la parte trasera de los transistores, moviendo los cables de comunicación a la parte de abajo. De esta forma se consigue un mayor control sobre la administración de energía, sin necesidad de ocultar los cables de señal, con conexiones de tipo TSV 500 veces más pequeñas que las normales. PowerVia está lista para su producción y se espera que lleguen en 2024.

Además, ha demostrado su tecnología RibbonFET que no ha cambiado desde la introducción e FinFET en el 2011 y una de las más utilizadas por la industria. Con canales de comunicación en forma de cinta, se consiguen velocidades de conmutación más rápidas para los transistores, lo que permite mayores frecuencias y un mejor rendimiento. También ofrece la ventaja de modular estos canales de comunicación, ofreciendo menor consumo para dispositivos que utilicen menos corriente. Estas cintas de comunicación pueden ofrecer la misma corriente que en FinFET ocupando menos espacio.

Intel también ha podido mostrar una solución integrada de silicio y GaN en la misma oblea de 300 mm llamada DrGaN. Esta tecnología, que se ha probado con un buen rendimiento, permitirá avanzar en las soluciones para el suministro de energía demandadas por la industria.

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