SK Hynix nos enseña un concepto de NAND 4D

Hynix, fabricante de chips NAND entre otros, nos ha enseñado su concepto de un nuevo tipo de chip, la 4D NAND. No, no han llevado el almacenamiento a una cuarta dimensión, pero trae mejoras muy interesantes en cuanto a densidad de memoria, entre otros aspectos.

Tradicionalmente, la 2D NAND traía las partes CTF (donde se ubican las celdas) y la periferia, encargada de su conexión, en el mismo plano, malgastando parte del substrato en algo que no era memoria. La 3D NAND se centró en solucionar ese problema, consiguiendo apilar el CTF en varias capas, y con ello aumentando drásticamente la densidad de memoria, pero la parte de la periferia sigue estando, como su nombre indica, alrededor del CTF.

La 4D NAND lo que ha conseguido es colocar esa parte bajo el CTF, con el acrónimo de PUC, que responde a periferia bajo celda, o lo que es lo mismo, se deja de malgastar sustrato en dicha periferia para colocarla bajo las celdas, y con ello poder poner más celdas en el mismo chip. Es un avance que se resume a reordenar la disposición interna del chip, pero que trae potentes mejoras como podemos ver a continuación.

Al haber conseguido colocar todo en una sola pila, han podido aumentar aún más el número de capas de celdas de memoria que pueden colocar, por lo que el rendimiento de lectura aumenta un 25%, mientras que el de escritura aumenta un 30%. Donde más se ve la mejora de esta nueva disposición de celdas es en el consumo, pues la relación de ancho de banda por vatio de potencia consumido aumenta un significativo 150%, lo cual se traduce en dispositivos móviles como portátiles o móviles con una mayor duración de batería.

En consecuencia, también podemos ver anunciada la existencia de un chip 4D NAND con una capacidad de 512Gb, comprendido de 96 capas de celdas con un tamaño ligeramente mayor a un centímetro cuadrado, diseñado específicamente para dispositivos pequeños como smartphones.

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