Samsung sigue avanzando en la fabricación de nodos avanzados como el que tiene GAA de 2 nanómetros, también conocido como SF2. Parece que este nodo avanzado está consiguiendo mejores resultados que el de 3 nanómetros, ya que se ha conseguido superar el 40% de yield en las pruebas realizadas. Así, el rendimiento que está ofreciendo el nodo de 2 nm en las pruebas realizadas es mucho mejor del esperado, ya que a inicios del 2025 se reportaba un rendimiento de entre el 20 y el 30%.
Con unos resultados prometedores, Samsung puede hacer frente a su rival TSMC del que se dice que ya cuenta con unos resultados superiores al 60% con un proceso similar. Con este avance, Samsung puede comenzar la fabricación en masa para finales de este mismo año, a medida que mejora este rendimiento y llega justo para la fabricación de su nuevo chip insignia Exynos 2600.
Con otro fabricante más ofreciendo nodos avanzados de 2 nanómetros, los clientes que demanden sus productos con esta tecnología tendrán para elegir entre TSMC y Samsung. De esta forma también podrán repartirse la carga de fabricación, ya que TSMC que es el principal fabricante, suele tener sus líneas ocupadas con tres clientes como son AMD, NVIDIA y Apple. Además es posible que la competitividad por llevarse más clientes ofrezca mejores precios para los proveedores, precios más bajos que esperamos ver reflejados en el producto final.
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